MOSFET測試方案簡介
MOSFET（金屬－氧化物半導體場效應晶體管）是常見的半導體器件，可以廣泛應用在模擬電路和數字電路當中。一般由Source（源極）， Drain（漏極），Gate（柵極），Bulk（體電極）組成。MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳納米管等材料制作，是材料及器件研究的熱點。
測試設備：4200A-SCS, 加配：中功率SMU/高功率SMU/電容測試單元CVU/超快脈沖測試單元PMU/切換開關等
測試載臺：探針臺／測試夾具
3000V方案：
測試載臺：探針臺／測試夾具
3000V方案：
測試設備：2600- PCT, 可選配：
200V/10A低壓基本配置、200V/50A高流配置、3000V/10A高壓配置、3000V/50A高壓高流配置。
測試載臺：高功率探針臺／測試夾具。
200V/10A低壓基本配置、200V/50A高流配置、3000V/10A高壓配置、3000V/50A高壓高流配置。
測試載臺：高功率探針臺／測試夾具。
1. 由于MOSFET是多端口器件，所以需要多個測量模塊協同測試。
2. MOSFET的漏電越小越好，所以需要精度高的設備進行測試。
3. MOSFET動態電流范圍大，測試時需要量程范圍廣，且量程可以自動切換的模塊進行測試。
4.隨著MOSFET特征尺寸越來越小，自加熱效應成為影晌MOSFET可靠性的重要因素。脈沖測試可以減少自加熱效應。所以MOSFET需要進行脈沖 IV測試，用以評估器件的自加熱特性。
5. MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內容，且與其在高頻應用有密切關系。所以MOSFET的電容測試非常重要。由于MOSFET的電容是非線性，且不同頻率下曲線不同，所以需要能進行多頻率，多電壓下的CVU進行測試。
MOSFET簡介：
測試方案：
MOSFET測試難點：
1.集成化的測試系統，直流測試／CV測試／脈沖IV測試集于一體，9個卡槽靈活配置測試模塊；
2.電流測試min精度10fA, 電壓max值210V;四線法配置；1pF- 1uF測試量程； 土40V差分脈沖，脈寬min 10ns, 200M采樣率，任意波形編輯功能；
3.自帶Clarius操作軟件， 圖形化設計，簡單易懂；豐富的測試庫直接用，減少測試配置時間；附帶教學視頻，邊學邊用；
4.多種切換開關，支持SMU/PMU/CVU的自動切換，消除換線煩惱；5.提供低漏電矩陣開關，為自動化，高密度，大批量測試提供支持；
6.開放設備底層指令，附帶編譯軟件，支持自編程
華測優勢：
輸出特性曲線Vds-lds
測試項目舉例：
電容測試曲線
詳情請致電技術熱線13911821020
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